第二系列 微波复合介质基片类

        微波复合介质敷铜箔基本是由低损耗无机矿物质二氧化钛（TiO2)和低损耗有机塑料按比例混合，然后烘焙、烧结、压制而得到的复合介质基片，用该基片敷上超薄铜箔再经压制而成敷铜箔基片，是制造微波元器件的最佳材料，可广泛应用于卫星通讯、导航，固态相控阵雷达、广播电视等电子设备、微波印制电路器件中。
一、微波复合介质敷铜箔基片TP型、TP-1型、TP-2型
        1.用该基片做微波电路的特点
        （1）介电常数可根据电路要求在2.5～16范围内任意选择、且稳定。使用温度为-100℃～+150℃。
        （2）铜箔和介质的粘附力比陶瓷此片的真空镀膜牢靠，电路加工方便，成品率高，且成本较陶瓷基片大大降低。
        （3）介质损耗角正切值tgδ≤1×10-3。且随频率增高损耗值变化小。
        （4）易于机械加工，可方便进行钻、车、磨、剪、刻等多种加工，这是陶瓷基片不能比的。
        2.技术指标
        （1）外观：双面平整，无斑点、伤痕、凹陷、铜箔的皱折、针孔等。
        （2）尺寸及公差：
          a)外形尺寸：A×B（mm）：30×50，40×50，60×100
            A（B）公差≤±0.03
            120×100，150×150，180×180，270×220；
            A（B）公差≤±0.05
          b)厚度尺寸及公差：δ（mm）0.3±0.02，0.5±0.02，0.8±0.03，1±0.04，1.2±0.05，
                            1.5±0.06，2±0.08
        （3）机械性能：
          a)抗剥性能：常态≥10N/cm   交变湿热：8N/cm
          b)拉伸强度：≥800kg/cm²
          c)化学性能：可能照印制电路化学腐蚀方法加工电路板而不改变介质材料的性能。
        （4）物理电气性能。见后面附表

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